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[发明专利]工件的化学机械研磨系统、演算系统、及化学机械研磨的模拟模型的制作方法-CN202180022839.3在审
发明人：铃木教和;安田穗积;望月宣宏;桥本洋平 -专利权人：株式会社荏原制作所;国立大学法人东海国立大学机构;国立大学法人金泽大学
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：一种工件的化学机械研磨系统、演算系统、及化学机械研磨的模拟模型的制作方法。本发明关于依据化学机械研磨的实测资料，将化学机械研磨的模拟模型最佳化的网络实体系统(CyberPhysicalSystem)。化学机械研磨系统具备：研磨工件(W)的研磨装置(1)；及演算系统(47)。演算系统(47)具有至少包含输出包含研磨工件(W)的推定研磨率的推定研磨物理量的物理模型的模拟模型。演算系统(47)构成为：将研磨工件(W)的研磨条件输入模拟模型，并从模拟模型输出研磨工件(W)的推定研磨物理量，决定使推定研磨物理量接近研磨工件(W)的实测研磨物理量的模拟模型的模型参数。
工件化学机械研磨系统演算模拟模型制作方法

[发明专利]物理反润滑技术在水泥球磨机中的应用方法-CN201210291365.5有效
发明人：余柯 -专利权人：余柯
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： B02C17/20 文献下载
摘要：本发明物理反润滑技术在水泥球磨机中的应用方法揭示：水泥生、熟料的研磨制粉，可以应用物理反润滑技术提高研磨效率，降低单产能耗，提升磨机能效。物理反润滑技术包括：<1>改变研磨体的表面形貌和粗糙度；<2>大幅度增加研磨体与物料之间的接触摩擦面积；<3>减少研磨体之间、研磨体与筒体衬板之间的无效碰撞，大幅度增加分裂粉碎物料的有效碰撞次数；<4>改变衬板表面形貌和粗糙度，增加其与研磨体、与物料的摩擦系数，增加研磨效率。本发明技术的全面应用，至少可以提高研磨效率50％以上，节能降耗效果十分显著。
研磨体润滑技术研磨效率水泥球磨机粗糙度应用形貌熟料表面形貌衬板表面单产能耗粉碎物料接触摩擦节能降耗摩擦系数筒体衬板应用物理研磨制粉水泥分裂

[实用新型]路面标线玻璃珠研磨测试装置-CN202121820798.6有效
发明人：漆敬东;赵成果;吴敏 -专利权人：绵阳光耀新材料有限责任公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01N19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了路面标线玻璃珠研磨测试装置，涉及玻璃珠测试领域，包括物理研磨介质、化学侵蚀介质、研磨罐和转动件；物理研磨介质硬度大于玻璃珠硬度；根据实际使用场景在研磨罐内放置物理研磨介质和化学侵蚀介质，转动件驱动研磨罐转动，使得待测试的玻璃珠在研磨罐中发生相应的物理磨损和化学侵蚀反应，实现模拟测试的目的，模拟测试完成后，取出玻璃珠，并置于显微镜下观察其表面损伤情况或测试其反光亮度，再进行对比分析，便可以对实际使用场景中玻璃珠的情况进行预测
路面标线玻璃珠研磨测试装置

[发明专利]研磨方法及研磨装置-CN201410566888.5有效
发明人：渡边博光;山口都章;小畠严贵;和田雄高 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：一种研磨方法以及研磨装置。在该研磨方法中一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边使基板(W)与研磨垫(1)滑动接触而对该基板(W)进行研磨，一边增加作为研磨液的物理量的研磨液的流量及压力中的某一方直至所述物理量达到规定的设定值、一边使研磨液通过过滤器(14)，一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边在研磨垫(1)上对基板(W)进行研磨。采用本发明，可防止粗大粒子被排出到研磨垫上的现象，同时可对基板进行研磨。
研磨方法装置

[发明专利]介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法-CN202210851428.1在审
发明人：程刘锁;许隽;张继亮 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供一种介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法，其中介质层的物理性能的监测方法包括：建立椭圆偏振法以测试介质层相关物理参数的光学量程式；获取之前至少两个生产批次中所有介质层的折射率及其研磨率；根据所述介质层的折射率及其研磨率，建立数据模型；测试当前生产批次中的介质层的折射率；利用所述数据模型获取当前生产批次中的介质层对应的研磨率。本申请通过根据所述介质层的折射率及其研磨率，建立有效的数据模型来合理预测当前批次及之后所有批次的介质层的研磨率，并且根据不断生产的批次还可以动态修正所述数据模型，实现了介质层的物理性能的动态监测和精确监控
介质物理性能半导体芯片性能监测方法

[发明专利]基板处理系统-CN202080037700.1有效
发明人：鸟越恒男;畠山雅规;中迂良 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：具备：传感器，该传感器设置于基板处理装置，检测对象基板处理中的对象物理量；及预测部，该预测部将通过该传感器检测的物理量的时间序列数据或以时间对该物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据输入完成学习的机器学习模型，从而输出作为结束研磨的时刻的研磨终点时刻，该机器学习模型是如下模型：使用将过去的该物理量的时间序列数据或以时间对该过去的物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据作为输入、并将过去的研磨终点时刻作为输出的学习用的数据集进行机器学习
处理系统

[发明专利]一种蓝宝石晶片研磨方法-CN201910861241.8在审
发明人：陆昌程;宋述远;蔡金荣 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开一种蓝宝石晶片研磨方法。该方法包括以下步骤：对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组，厚度差在0.015‑0.02mm；用研磨液对蓝宝石晶片进行研磨5‑12分钟，研磨液的平均粒径为20‑30μm，所述研磨液由改性磨料、聚丙烯酸钠、柠檬酸钠和去离子水混合而成，且改性磨料的重量百分比为研磨液的0.02‑0.08%，抛光压力为32‑35kPa；经过物理研磨后蓝宝石晶片用流水冲洗后，再用抛光垫沾染抛光液进行抛光，抛光时间为5‑8分钟，所得蓝宝石晶片的表面粗糙度Ra该研磨方法集合化学研磨和物理研磨为一体，降低了研磨过程中对设备的要求，减少了磨料的使用，具有良好的应用前景。
蓝宝石晶片研磨研磨液改性磨料物理研磨抛光磨料表面粗糙度Ra 聚丙烯酸钠重量百分比化学研磨流水冲洗柠檬酸钠抛光压力平均粒径去离子水对设备厚度差抛光垫抛光液沾染切割集合分组应用

[发明专利]一种CMP仿真模型的建立方法及系统-CN201710606884.9有效
发明人：徐勤志;陈岚;郭叶 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种CMP仿真模型的建立方法，包括：根据研磨液中化学组分的化学反应以及研磨颗粒的机械去除机理，建立化学动力去除模型，所述化学动力去除模型的去除速率至少与化学组分的浓度以及机械研磨速率相关；根据晶圆表面和研磨颗粒的受力分析以及研磨垫的形变分析，建立晶圆与研磨颗粒及研磨垫的接触力学模型；建立研磨液化学组分在晶圆表面不同区域的浓度分布模型；根据所述接触力学模型和所述浓度分布模型，通过所述化学动力去除模型建立多物理去除模型。该模型可以深刻阐释晶圆表面材质的多物理去除机制，进而实现晶圆表面形貌以及工艺偏差的动态模拟，为CMP工艺中参数设置以及设计优化提供指导。
一种 cmp 仿真模型建立方法系统

[发明专利]控制咖啡机研磨器的方法-CN200880103693.X有效
发明人： G·德龙 -专利权人：德龙集团
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： A47J31/42 文献下载
摘要：本发明涉及控制咖啡机研磨器的方法，所述方法包括以下步骤：测量与渗滤过程有关的物理量的实际值；以及至少为接下来的渗滤而改变研磨咖啡颗粒的尺寸，以便补偿所述物理量的实际值与基准值之间的可以检测的偏差。
控制咖啡机研磨方法

[实用新型]一种物理实验用机械研磨机-CN202020895645.7有效
发明人：汪家烨 -专利权人：汪家烨
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种物理实验用机械研磨机，包括底座、放置座、背座以及研磨机主体，所述放置座固定安装在底座的上端外表面，所述背座固定安装在底座的后端外表面，所述放置座的内部固定安装有自锁滑轨与自锁滑块，所述自锁滑块活动安装在自锁滑轨的内部，所述自锁滑块的上端外表面还固定安装有章鱼吸盘与卡箍，本实用新型可以快速对物理实验过程中需要研磨的镜片进行固定，同时对固定结构进行夹持稳定，避免固定结构因不稳定性造成镜片的研磨失败，还可以对需要研磨的镜片进行水平方向定位以及对研磨头进行竖直方向定位，以使得研磨头与镜片进行充分接触，保证了镜片的研磨效果，提高机器的研磨效率。
一种物理实验机械研磨机

[发明专利]一种以鳞片石墨为原料的石墨烯物理制备方法-CN202010450063.2有效
发明人：张诚;沈伟亮;李俊贤 -专利权人：杭州烯创科技有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明提供了一种以鳞片石墨为原料的石墨烯物理制备方法，属于石墨烯材料领域。它解决了现有物理制备法制备石墨烯，存在石墨烯产能低、品质欠佳、成本高等问题等问题，一种以鳞片石墨为原料的石墨烯物理制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：对鳞片石墨进行预处理，然后与插层剂、溶剂、渗透剂混合搅拌；S02：将步骤S01中搅拌后得到的悬浊液在研磨设备中进行两步研磨，逐步提高研磨压力和速度，研磨完毕后，泄压得到石墨烯分散液；S03：对步骤S02中得到的石墨烯分散液进行喷雾干燥，得到石墨烯粉体。
一种鳞片石墨原料物理制备方法

[发明专利]基于新型碳纤维粉的生产工艺及其装置-CN202110004715.4在审
发明人：苏铭杰;谢飞鹏;赵平 -专利权人：安徽臻戈智能科技有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于新型碳纤维粉的生产工艺及其装置，涉及碳纤维粉技术领域，包括研磨框，所述研磨框的右侧固定连接有固定框，所述固定框的内部固定连接有电机，所述电机上设置有第一转动杆，该基于新型碳纤维粉的生产工艺及其装置在第一研磨板上设置有研磨槽，研磨杆可以对研磨槽内部的材料进行研磨，通过研磨槽可以使碳纤维粉保持统一的姿态在研磨槽的内部，使得研磨杆不会破坏碳纤维粉的物理性状，解决了目前的基于新型碳纤维粉的生产工艺及其装置，在对碳纤维粉进行研磨会对碳纤维粉的物理性状造成破坏
基于新型碳纤维生产工艺及其装置

[发明专利]一种环保型物理抛光装置及其方法-CN202111292322.4有效
发明人：潘杰;陈凡;金闻达;杨炜 -专利权人：江苏集萃华科智能装备科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种环保型物理抛光装置，包括输送部，输送部两侧均设置滚动压紧部，两个滚动压紧部之间的输送部上设置抛光部，待抛光件通过滚动压紧部压紧后随着输送部移动。本发明的环保型物理抛光装置及其方法，在抛光过程中，研磨液中添加氧化铝、金刚石或氧化铈颗粒的不同种类无酸中性研磨液，减少抛光中产生的划痕，通过研磨液过滤循环系统，在研磨液使用完成后进行回收利用，提高研磨液使用寿命
一种环保物理抛光装置及其方法

[发明专利]一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统-CN201910086996.5有效
发明人：徐勤志;陈岚;曹鹤;刘建云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本申请提供一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统，通过考虑钨金属与研磨液之间的化学反应，以及钨金属和研磨垫间的机械去除反应，建立W CMP化学反应动力学模型和流体动力学模型，然后求解力平衡方程，最终建立一种W CMP多物理工艺仿真方法。本发明主要揭示了W CMP过程中的多种物理化学关系，从而更加真实地模拟CMP的去除过程，相比于现有CMP技术，模型更加合理和精确，物理意义更加明确。
一种 cmp 物理工艺仿真方法系统

[发明专利]计算晶圆表面研磨去除率的方法-CN201210458982.X有效
发明人：徐勤志;方晶晶;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种计算晶圆表面研磨去除率的方法，该方法包括：a）设定参考平面、划分计算网格并确定研磨垫微扰形变的初始数据；b）根据微扰压力分布和研磨垫微扰形变的相互关系，使用傅里叶变换计算微扰压力分布，并根据外部施加压力和微扰压力分布计算接触压力分布；c）根据接触压力分布确定晶圆的研磨去除率。本发明的实施例还可以用晶圆表面的研磨去除率实时的计算晶圆表面形貌。本发明计算简洁，实现方便，物理意义明确，所得到的物理量能深刻揭示两体接触的内在本质。
计算表面研磨去除方法

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